SIR474DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
на замовлення 618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 73.11 грн |
| 10+ | 62.42 грн |
| 100+ | 47.89 грн |
| 500+ | 35.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIR474DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 20A; Idm: 50A, Mounting: SMD, Case: PowerPAK® SO8, Gate charge: 27nC, On-state resistance: 12mΩ, Power dissipation: 29.8W, Drain current: 20A, Pulsed drain current: 50A, Gate-source voltage: ±20V, Drain-source voltage: 30V, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: N-MOSFET, Kind of package: reel; tape, Technology: TrenchFET®, Polarisation: unipolar, кількість в упаковці: 3000 шт.
Інші пропозиції SIR474DP-T1-GE3 за ціною від 20.58 грн до 79.90 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIR474DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
 MOSFETs 30V 20A 29.8W |
на замовлення 2992 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SIR474DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
QFN |
на замовлення 890 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
SIR474DP-T1-GE3 Код товару: 100039
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||||||
| SIR474DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 20A; Idm: 50A Mounting: SMD Case: PowerPAK® SO8 Gate charge: 27nC On-state resistance: 12mΩ Power dissipation: 29.8W Drain current: 20A Pulsed drain current: 50A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
SIR474DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| SIR474DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 20A; Idm: 50A Mounting: SMD Case: PowerPAK® SO8 Gate charge: 27nC On-state resistance: 12mΩ Power dissipation: 29.8W Drain current: 20A Pulsed drain current: 50A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar |
товару немає в наявності |