Продукція > VISHAY / SILICONIX > SIR492DP-T1-GE3

SIR492DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix

Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 12V 40A 36W 3.8mohm @ 4.5V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SIR492DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix

Description: MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 36W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 8 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3720 pF @ 6 V.

Інші пропозиції SIR492DP-T1-GE3

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
SIR492DP-T1-GE3	Виробник : Vishay	Trans MOSFET N-CH 12V 40A 8-Pin PowerPAK SO T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SIR492DP-T1-GE3	Виробник : Vishay Siliconix	Description: MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 4.5V Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3720 pF @ 6 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SIR492DP-T1-GE3	Виробник : Vishay Siliconix	Description: MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 4.5V Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3720 pF @ 6 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.