Продукція > VISHAY > SIR500DP-T1-RE3
SIR500DP-T1-RE3

SIR500DP-T1-RE3 VISHAY

3194646.pdf Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR500DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 350.8 A, 0.00039 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104.1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104.1W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 390µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00039ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 38958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+84.65 грн
500+63.43 грн
1000+48.61 грн
5000+48.40 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIR500DP-T1-RE3 VISHAY

Description: VISHAY - SIR500DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 350.8 A, 0.00039 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 350.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 104.1W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104.1W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 390µohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00039ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SIR500DP-T1-RE3 за ціною від 48.40 грн до 187.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIR500DP-T1-RE3 SIR500DP-T1-RE3 Виробник : Vishay Siliconix sir500dp.pdf Description: N-CHANNEL 30 V (D-S) 150C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85.9A (Ta), 350.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8960 pF @ 15 V
на замовлення 1275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+166.52 грн
10+107.92 грн
100+75.10 грн
500+56.40 грн
1000+51.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIR500DP-T1-RE3 SIR500DP-T1-RE3 Виробник : VISHAY 3194646.pdf Description: VISHAY - SIR500DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 350.8 A, 0.00039 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104.1W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00039ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 38958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+178.61 грн
10+124.44 грн
100+84.65 грн
500+63.43 грн
1000+48.61 грн
5000+48.40 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIR500DP-T1-RE3 SIR500DP-T1-RE3 Виробник : Vishay / Siliconix sir500dp.pdf MOSFETs POWRPK N CHAN 30V
на замовлення 13959 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+187.52 грн
10+124.09 грн
100+73.88 грн
500+58.18 грн
1000+53.73 грн
3000+49.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIR500DP-T1-RE3 SIR500DP-T1-RE3 Виробник : Vishay sir500dp.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 85.9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR500DP-T1-RE3 SIR500DP-T1-RE3 Виробник : Vishay sir500dp.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 85.9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR500DP-T1-RE3 SIR500DP-T1-RE3 Виробник : Vishay sir500dp.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 85.9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR500DP-T1-RE3 SIR500DP-T1-RE3 Виробник : Vishay sir500dp.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 85.9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR500DP-T1-RE3 Виробник : VISHAY sir500dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 350.8A; Idm: 500A
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 180nC
On-state resistance: 0.68mΩ
Drain current: 350.8A
Pulsed drain current: 500A
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 104.1W
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR500DP-T1-RE3 SIR500DP-T1-RE3 Виробник : Vishay Siliconix sir500dp.pdf Description: N-CHANNEL 30 V (D-S) 150C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85.9A (Ta), 350.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8960 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR500DP-T1-RE3 Виробник : VISHAY sir500dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 350.8A; Idm: 500A
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 180nC
On-state resistance: 0.68mΩ
Drain current: 350.8A
Pulsed drain current: 500A
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 104.1W
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.