SIR500DP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 30 V (D-S) 150C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85.9A (Ta), 350.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8960 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 47.81 грн |
| 6000+ | 45.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIR500DP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIR500DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 350.8 A, 0.00039 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 350.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 104.1W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104.1W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 390µohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00039ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SIR500DP-T1-RE3 за ціною від 40.78 грн до 188.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIR500DP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR500DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 350.8 A, 0.00039 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 350.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 104.1W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 104.1W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 390µohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00039ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 38958 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SIR500DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 30 V (D-S) 150C MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85.9A (Ta), 350.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8960 pF @ 15 V |
на замовлення 6324 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SIR500DP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR500DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 350.8 A, 470 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 350.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 104.1W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 470µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 38002 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SIR500DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs POWRPK N CHAN 30V |
на замовлення 13959 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SIR500DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 85.9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
SIR500DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 85.9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
SIR500DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 85.9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
SIR500DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 85.9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| SIR500DP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 350.8A; Idm: 500A Case: PowerPAK® SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 180nC On-state resistance: 0.68mΩ Drain current: 350.8A Pulsed drain current: 500A Drain-source voltage: 30V Power dissipation: 104.1W Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |