Продукція > VISHAY SILICONIX > SIR500DP-T1-UE3
SIR500DP-T1-UE3

SIR500DP-T1-UE3 Vishay Siliconix

sir500dp.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET 150
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85.9A (Ta), 350.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8960 pF @ 15 V
на замовлення 5988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+132.58 грн
10+93.73 грн
25+85.23 грн
100+71.21 грн
250+67.03 грн
500+64.51 грн
1000+61.41 грн
2500+59.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIR500DP-T1-UE3 Vishay Siliconix

Description: N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET 150, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85.9A (Ta), 350.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @20A, 10V, Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104.1W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +16V, -12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8960 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SIR500DP-T1-UE3 за ціною від 57.17 грн до 175.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIR500DP-T1-UE3 SIR500DP-T1-UE3 Виробник : Vishay / Siliconix sir500dp.pdf MOSFETs N-Channel 30 V (D-S) MOSFET 150 C 4.7 m 10V 6.8 m 4.5V
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+175.53 грн
10+122.38 грн
100+80.73 грн
250+69.72 грн
500+66.86 грн
1000+59.52 грн
3000+57.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIR500DP-T1-UE3 SIR500DP-T1-UE3 Виробник : Vishay Siliconix sir500dp.pdf Description: N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET 150
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85.9A (Ta), 350.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8960 pF @ 15 V
на замовлення 5988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.