Продукція > VISHAY SILICONIX > SIR5102DP-T1-RE3
SIR5102DP-T1-RE3

SIR5102DP-T1-RE3 Vishay Siliconix

sir5102dp.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+93.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIR5102DP-T1-RE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIR5102DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 4100 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 110A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 104W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SIR5102DP-T1-RE3 за ціною від 88.56 грн до 313.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SIR5102DP-T1-RE3 SIR5102DP-T1-RE3 VISHAY VISH-S-A0019629307-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR5102DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 4100 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 14360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+159.53 грн
500+116.06 грн
1000+105.02 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5102DP-T1-RE3 SIR5102DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir5102dp.pdf Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+264.05 грн
10+170.81 грн
100+121.77 грн
500+95.43 грн
1000+88.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5102DP-T1-RE3 SIR5102DP-T1-RE3 VISHAY VISH-S-A0019629307-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR5102DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 4100 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 14360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+311.65 грн
10+203.11 грн
100+159.53 грн
500+116.06 грн
1000+105.02 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5102DP-T1-RE3 SIR5102DP-T1-RE3 Vishay sir5102dp.pdf MOSFETs SOT669 100V 110A N-CH MOSFET
на замовлення 3192 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+313.29 грн
10+203.45 грн
100+124.75 грн
500+105.72 грн
3000+100.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5102DP-T1-RE3 VISH-S-A0019629307-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIR5102DP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR5102DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 4100 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 14360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+159.53 грн
500+116.06 грн
1000+105.02 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5102DP-T1-RE3 sir5102dp.pdf
SIR5102DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+264.05 грн
10+170.81 грн
100+121.77 грн
500+95.43 грн
1000+88.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5102DP-T1-RE3 VISH-S-A0019629307-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIR5102DP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR5102DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 4100 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 14360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+311.65 грн
10+203.11 грн
100+159.53 грн
500+116.06 грн
1000+105.02 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5102DP-T1-RE3 sir5102dp.pdf
SIR5102DP-T1-RE3
Виробник: Vishay
MOSFETs SOT669 100V 110A N-CH MOSFET
на замовлення 3192 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+313.29 грн
10+203.45 грн
100+124.75 грн
500+105.72 грн
3000+100.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.