SIR5110DP-T1-RE3 VISHAY
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR5110DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 47.6 A, 0.0125 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 47.6A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 59.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 87.17 грн |
| 500+ | 59.69 грн |
| 1000+ | 51.53 грн |
| 5000+ | 48.74 грн |
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Технічний опис SIR5110DP-T1-RE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIR5110DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 47.6 A, 0.0125 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 47.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 59.5W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm.
Інші пропозиції SIR5110DP-T1-RE3 за ціною від 48.74 грн до 196.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
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SIR5110DP-T1-RE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs N-Channel 100 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 12.5 m a. 10V 12.3 m a. 7.5V |
на замовлення 5583 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
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SIR5110DP-T1-RE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIR5110DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 47.6 A, 0.0125 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 47.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 59.5W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm |
на замовлення 6040 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| SIR5110DP-T1-RE3 |
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Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs N-Channel 100 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 12.5 m a. 10V 12.3 m a. 7.5V
MOSFETs N-Channel 100 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 12.5 m a. 10V 12.3 m a. 7.5V
на замовлення 5583 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 196.33 грн |
| 10+ | 125.27 грн |
| 100+ | 74.72 грн |
| 500+ | 59.84 грн |
| 1000+ | 56.00 грн |
| 3000+ | 53.00 грн |
| SIR5110DP-T1-RE3 |
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Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR5110DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 47.6 A, 0.0125 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
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Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 59.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
Description: VISHAY - SIR5110DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 47.6 A, 0.0125 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
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Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 59.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
на замовлення 6040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
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| 5+ | 196.33 грн |
| 10+ | 127.09 грн |
| 100+ | 87.17 грн |
| 500+ | 59.69 грн |
| 1000+ | 51.53 грн |
| 5000+ | 48.74 грн |