SIR512DP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.1A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Ta), 96.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 67.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIR512DP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIR512DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0045 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 96.2W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SIR512DP-T1-RE3 за ціною від 64.67 грн до 223.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIR512DP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR512DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0045 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 96.2W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 1920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIR512DP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR512DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0045 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 96.2W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 1920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIR512DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.1A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6W (Ta), 96.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 50 V |
на замовлення 7229 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SIR512DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay |
MOSFETs SOT669 100V 100A N-CH MOSFET |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 203-212 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
SIR512DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 25.1A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
товару немає в наявності |