Продукція > VISHAY SILICONIX > SIR512DP-T1-RE3
SIR512DP-T1-RE3

SIR512DP-T1-RE3 Vishay Siliconix

sir512dp.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.1A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Ta), 96.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+60.18 грн
6000+ 55.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIR512DP-T1-RE3 Vishay Siliconix

Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.1A (Ta), 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 6W (Ta), 96.2W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 50 V.

Інші пропозиції SIR512DP-T1-RE3 за ціною від 57.25 грн до 132.9 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SIR512DP-T1-RE3 SIR512DP-T1-RE3 Виробник : Vishay Siliconix sir512dp.pdf Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.1A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Ta), 96.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 50 V
на замовлення 6301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+132.9 грн
10+ 106.78 грн
100+ 84.97 грн
500+ 67.47 грн
1000+ 57.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIR512DP-T1-RE3 SIR512DP-T1-RE3 Виробник : Vishay sir512dp.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 25.1A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товар відсутній
SIR512DP-T1-RE3 Виробник : Vishay sir512dp.pdf MOSFET N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
товар відсутній