Продукція > VISHAY SILICONIX > SIR514DP-T1-RE3
SIR514DP-T1-RE3

SIR514DP-T1-RE3 Vishay Siliconix

sir514dp.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.8A (Ta), 84.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+210.14 грн
10+130.83 грн
100+90.26 грн
500+68.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIR514DP-T1-RE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIR514DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 84.8 A, 5800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 84.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 83.3W, SVHC: Lead (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm.

Інші пропозиції SIR514DP-T1-RE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIR514DP-T1-RE3 SIR514DP-T1-RE3 VISHAY VISH-S-A0024174139-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR514DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 84.8 A, 5800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 84.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 83.3W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
на замовлення 5205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR514DP-T1-RE3 SIR514DP-T1-RE3 Vishay sir514dp.pdf MOSFETs SOT669 100V 84.8A N-CH MOSFET
на замовлення 5438 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR514DP-T1-RE3 SIR514DP-T1-RE3 VISHAY VISH-S-A0024174139-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR514DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 84.8 A, 5800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 84.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 83.3W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
на замовлення 5205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR514DP-T1-RE3 VISH-S-A0024174139-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIR514DP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR514DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 84.8 A, 5800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 84.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 83.3W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
на замовлення 5205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR514DP-T1-RE3 sir514dp.pdf
SIR514DP-T1-RE3
Виробник: Vishay
MOSFETs SOT669 100V 84.8A N-CH MOSFET
на замовлення 5438 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR514DP-T1-RE3 VISH-S-A0024174139-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIR514DP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR514DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 84.8 A, 5800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 84.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 83.3W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
на замовлення 5205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.