Продукція > VISHAY > SIR516DP-T1-RE3
SIR516DP-T1-RE3

SIR516DP-T1-RE3 VISHAY

VISH-S-A0024174140-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR516DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63.7 A, 8000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 71.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71.4W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0064ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+105.67 грн
500+80.76 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIR516DP-T1-RE3 VISHAY

Description: VISHAY - SIR516DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63.7 A, 8000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 63.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 71.4W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 71.4W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0064ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SIR516DP-T1-RE3 за ціною від 80.76 грн до 227.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIR516DP-T1-RE3 SIR516DP-T1-RE3 VISHAY VISH-S-A0024174140-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR516DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63.7 A, 8000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71.4W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+227.60 грн
10+155.25 грн
100+105.67 грн
500+80.76 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR516DP-T1-RE3 SIR516DP-T1-RE3 Vishay Semiconductors sir516dp.pdf MOSFETs 100volts 63.7amp
на замовлення 4731 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR516DP-T1-RE3 VISH-S-A0024174140-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIR516DP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR516DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63.7 A, 8000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71.4W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+227.60 грн
10+155.25 грн
100+105.67 грн
500+80.76 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR516DP-T1-RE3 sir516dp.pdf
SIR516DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 100volts 63.7amp
на замовлення 4731 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.