SIR5211DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 20 V (D-S) MOSFET POWE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Ta), 105A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 29.11 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIR5211DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIR5211DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 105 A, 3200 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 105A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, Verlustleistung: 56.8W, SVHC: Lead (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen V Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm.
Інші пропозиції SIR5211DP-T1-GE3 за ціною від 30.02 грн до 110.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SIR5211DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: P-CHANNEL 20 V (D-S) MOSFET POWE Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Ta), 105A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 5590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SIR5211DP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET |
на замовлення 2903 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
SIR5211DP-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIR5211DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 105 A, 3200 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 105A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 56.8W SVHC: Lead (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm |
на замовлення 3720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
SIR5211DP-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIR5211DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 105 A, 3200 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 105A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 56.8W SVHC: Lead (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm |
на замовлення 3720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| SIR5211DP-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 20 V (D-S) MOSFET POWE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Ta), 105A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: P-CHANNEL 20 V (D-S) MOSFET POWE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Ta), 105A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 110.76 грн |
| 10+ | 67.35 грн |
| 100+ | 44.77 грн |
| 500+ | 32.94 грн |
| 1000+ | 30.02 грн |
| SIR5211DP-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
MOSFETs P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
на замовлення 2903 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SIR5211DP-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR5211DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 105 A, 3200 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 56.8W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
Description: VISHAY - SIR5211DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 105 A, 3200 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 56.8W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
на замовлення 3720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SIR5211DP-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR5211DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 105 A, 3200 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 56.8W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
Description: VISHAY - SIR5211DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 105 A, 3200 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 56.8W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
на замовлення 3720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)