SIR5607DP-T1-RE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SIR5607DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 90.9 A, 7000 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 5389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 141.69 грн |
| 500+ | 115.62 грн |
| 1000+ | 104.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIR5607DP-T1-RE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIR5607DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 90.9 A, 7000 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen V Series, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SIR5607DP-T1-RE3 за ціною від 87.27 грн до 310.86 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIR5607DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: P-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.2A (Ta), 90.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5020 pF @ 30 V |
на замовлення 434 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SIR5607DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs P-Channel 60 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 7 mohm a. 10V, 12 mohm a. 4.5V |
на замовлення 3831 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SIR5607DP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR5607DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 90.9 A, 7000 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 5389 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SIR5607DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 90.9A 8-Pin PowerPAK SO EP |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| SIR5607DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay |
P-Channel 60 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 7 m @ 10V, 12 m @ 4.5V |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
|
|
SIR5607DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: P-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.2A (Ta), 90.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5020 pF @ 30 V |
товару немає в наявності |