Технічний опис SIR5607DP-T1-UE3 Vishay / Siliconix
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -72.7A; Idm: -250A; 104W, Mounting: SMD, On-state resistance: 7mΩ, Pulsed drain current: -250A, Power dissipation: 104W, Polarisation: unipolar, Drain current: -72.7A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: -60V, Type of transistor: P-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, Kind of package: reel; tape, Case: PowerPAK® SO8.
Інші пропозиції SIR5607DP-T1-UE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SIR5607DP-T1-UE3 | Vishay Siliconix |
 Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. |
| SIR5607DP-T1-UE3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -72.7A; Idm: -250A; 104W Mounting: SMD On-state resistance: 7mΩ Pulsed drain current: -250A Power dissipation: 104W Polarisation: unipolar Drain current: -72.7A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: -60V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: PowerPAK® SO8 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. |
| SIR5607DP-T1-UE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SIR5607DP-T1-UE3 |
|
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -72.7A; Idm: -250A; 104W
Mounting: SMD
On-state resistance: 7mΩ
Pulsed drain current: -250A
Power dissipation: 104W
Polarisation: unipolar
Drain current: -72.7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -60V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® SO8
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -72.7A; Idm: -250A; 104W
Mounting: SMD
On-state resistance: 7mΩ
Pulsed drain current: -250A
Power dissipation: 104W
Polarisation: unipolar
Drain current: -72.7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -60V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® SO8
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику
од. на суму грн.