Технічний опис SIR5607DP-T1-UE3 Vishay / Siliconix
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -72.7A; Idm: -250A; 104W, Type of transistor: P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -60V, Drain current: -72.7A, Pulsed drain current: -250A, Power dissipation: 104W, Case: PowerPAK® SO8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 7mΩ, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement.
Інші пропозиції SIR5607DP-T1-UE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SIR5607DP-T1-UE3 | Vishay Siliconix |
 Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
SIR5607DP-T1-UE3 | Vishay Siliconix |
Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| SIR5607DP-T1-UE3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -72.7A; Idm: -250A; 104W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -72.7A Pulsed drain current: -250A Power dissipation: 104W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | |
 |
SIR5607DP-T1-UE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 90.9A |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. |
| SIR5607DP-T1-UE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SIR5607DP-T1-UE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SIR5607DP-T1-UE3 |
|
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -72.7A; Idm: -250A; 104W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -72.7A
Pulsed drain current: -250A
Power dissipation: 104W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -72.7A; Idm: -250A; 104W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -72.7A
Pulsed drain current: -250A
Power dissipation: 104W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SIR5607DP-T1-UE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 90.9A
Trans MOSFET P-CH 60V 90.9A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику
од. на суму грн.