Продукція > VISHAY SILICONIX > SIR5708DP-T1-RE3
SIR5708DP-T1-RE3

SIR5708DP-T1-RE3 Vishay Siliconix

sir5708dp.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 65.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 33.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+41.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIR5708DP-T1-RE3 Vishay Siliconix

Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975 pF @ 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 65.7W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 33.8A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: PowerPAK® SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції SIR5708DP-T1-RE3 за ціною від 37.76 грн до 143.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIR5708DP-T1-RE3 SIR5708DP-T1-RE3 Виробник : Vishay Siliconix sir5708dp.pdf Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 65.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 33.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
на замовлення 5968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+119.70 грн
10+87.24 грн
100+61.10 грн
500+45.95 грн
1000+42.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5708DP-T1-RE3 SIR5708DP-T1-RE3 Виробник : Vishay Semiconductors sir5708dp.pdf MOSFETs SOT669 150V 33.8A N-CH MOSFET
на замовлення 16277 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+143.60 грн
10+91.97 грн
100+55.08 грн
500+44.78 грн
1000+40.82 грн
3000+37.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5708DP-T1-RE3 Виробник : VISHAY sir5708dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 33.8A; Idm: 80A
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 20nC
On-state resistance: 27mΩ
Power dissipation: 65.7W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 33.8A
Pulsed drain current: 80A
Case: PowerPAK® SO8
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.