SIR5708DP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 33.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975 pF @ 75 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 41.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIR5708DP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIR5708DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33.8 A, 0.019 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 33.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 65.7W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen V Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SIR5708DP-T1-RE3 за ціною від 38.53 грн до 125.96 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIR5708DP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR5708DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33.8 A, 0.019 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 33.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 65.7W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 5750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
SIR5708DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 9.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
SIR5708DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 9.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
SIR5708DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET N-CHANNEL 150 V MOSFET PWRPAK |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 552-561 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
SIR5708DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 33.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 65.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975 pF @ 75 V |
на замовлення 5968 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
SIR5708DP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR5708DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33.8 A, 0.019 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 33.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 65.7W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 5750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
SIR5708DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 9.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
| SIR5708DP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 33.8A; Idm: 80A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 33.8A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 65.7W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 27mΩ Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||||
| SIR5708DP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 33.8A; Idm: 80A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 33.8A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 65.7W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 27mΩ Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |