Технічний опис SIR570DP-T1-RE3 Vishay
Description: VISHAY - SIR570DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 77.4 A, 0.0065 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 77.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 104W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0065ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SIR570DP-T1-RE3 за ціною від 70.29 грн до 297.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIR570DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 150V 19A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIR570DP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR570DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 77.4 A, 0.0065 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 77.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 104W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0065ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 1604 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIR570DP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR570DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 77.4 A, 0.0065 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 77.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 1604 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIR570DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 19A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 1538 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIR570DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 19A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 1538 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIR570DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 77.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3740 pF @ 75 V |
на замовлення 1019 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIR570DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs SOT669 150V 77.4A N-CH MOSFET |
на замовлення 6820 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIR570DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 19A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
SIR570DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 19A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
SIR570DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 77.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3740 pF @ 75 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| SIR570DP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 77.4A; Idm: 200A Technology: TrenchFET® Gate charge: 71nC On-state resistance: 8.5mΩ Power dissipation: 104W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 150V Drain current: 77.4A Pulsed drain current: 200A Case: PowerPAK® SO8 Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD |
товару немає в наявності |