SIR5710DP-T1-RE3 Vishay Semiconductors
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 132.89 грн |
| 10+ | 82.78 грн |
| 100+ | 51.15 грн |
| 500+ | 35.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIR5710DP-T1-RE3 Vishay Semiconductors
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; N; 150V; 4.8W; PowerPAK® SO8, Gate charge: 15nC, On-state resistance: 31.5mΩ, Power dissipation: 4.8W, Gate-source voltage: 20V, Drain-source voltage: 150V, Case: PowerPAK® SO8, Kind of channel: enhancement, Polarisation: N, Type of transistor: N-MOSFET, Mounting: SMD.
Інші пропозиції SIR5710DP-T1-RE3 за ціною від 52.18 грн до 52.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SIR5710DP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; N; 150V; 4.8W; PowerPAK® SO8 Gate charge: 15nC On-state resistance: 31.5mΩ Power dissipation: 4.8W Gate-source voltage: 20V Drain-source voltage: 150V Case: PowerPAK® SO8 Kind of channel: enhancement Polarisation: N Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
|||||
 |
SIR5710DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
|||||
|
|
SIR5710DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW Packaging: Cut Tape (CT) |
товару немає в наявності |