Продукція > VISHAY SEMICONDUCTORS > SIR5710DP-T1-RE3
SIR5710DP-T1-RE3

SIR5710DP-T1-RE3 Vishay Semiconductors

sir5710dp.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs SOT669 150V 26.8A N-CH MOSFET
на замовлення 18068 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+146.58 грн
10+84.95 грн
100+54.05 грн
500+42.94 грн
1000+39.35 грн
3000+35.55 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIR5710DP-T1-RE3 Vishay Semiconductors

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; N; 150V; 4.8W; PowerPAK® SO8, Gate charge: 15nC, On-state resistance: 31.5mΩ, Power dissipation: 4.8W, Gate-source voltage: 20V, Drain-source voltage: 150V, Case: PowerPAK® SO8, Kind of channel: enhancement, Polarisation: N, Type of transistor: N-MOSFET, Mounting: SMD.

Інші пропозиції SIR5710DP-T1-RE3 за ціною від 51.55 грн до 51.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIR5710DP-T1-RE3 VISHAY sir5710dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 150V; 4.8W; PowerPAK® SO8
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 31.5mΩ
Power dissipation: 4.8W
Gate-source voltage: 20V
Drain-source voltage: 150V
Case: PowerPAK® SO8
Kind of channel: enhancement
Polarisation: N
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3000+51.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5710DP-T1-RE3 sir5710dp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 150V; 4.8W; PowerPAK® SO8
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 31.5mΩ
Power dissipation: 4.8W
Gate-source voltage: 20V
Drain-source voltage: 150V
Case: PowerPAK® SO8
Kind of channel: enhancement
Polarisation: N
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+51.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.