Технічний опис SIR5710DP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; N; 150V; 4.8W; PowerPAK® SO8, Gate charge: 15nC, On-state resistance: 31.5mΩ, Power dissipation: 4.8W, Gate-source voltage: 20V, Drain-source voltage: 150V, Case: PowerPAK® SO8, Kind of channel: enhancement, Polarisation: N, Type of transistor: N-MOSFET, Mounting: SMD.
Інші пропозиції SIR5710DP-T1-RE3 за ціною від 41.03 грн до 145.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIR5710DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix |
 Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POWPackaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 4240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SIR5710DP-T1-RE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs SOT669 150V 26.8A N-CH MOSFET |
на замовлення 18068 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIR5710DP-T1-RE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; N; 150V; 4.8W; PowerPAK® SO8 Gate charge: 15nC On-state resistance: 31.5mΩ Power dissipation: 4.8W Gate-source voltage: 20V Drain-source voltage: 150V Case: PowerPAK® SO8 Kind of channel: enhancement Polarisation: N Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
| SIR5710DP-T1-RE3 |
|
на замовлення 4240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 145.46 грн |
| 10+ | 89.02 грн |
| 100+ | 60.11 грн |
| 500+ | 44.78 грн |
| 1000+ | 41.03 грн |
| SIR5710DP-T1-RE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs SOT669 150V 26.8A N-CH MOSFET
MOSFETs SOT669 150V 26.8A N-CH MOSFET
на замовлення 18068 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SIR5710DP-T1-RE3 |
|
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 150V; 4.8W; PowerPAK® SO8
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 31.5mΩ
Power dissipation: 4.8W
Gate-source voltage: 20V
Drain-source voltage: 150V
Case: PowerPAK® SO8
Kind of channel: enhancement
Polarisation: N
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 150V; 4.8W; PowerPAK® SO8
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 31.5mΩ
Power dissipation: 4.8W
Gate-source voltage: 20V
Drain-source voltage: 150V
Case: PowerPAK® SO8
Kind of channel: enhancement
Polarisation: N
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 51.19 грн |