SIR578DP-T1-RE3 Vishay Siliconix


sir578dp.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta), 70.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 75 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+80.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIR578DP-T1-RE3 Vishay Siliconix

Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta), 70.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 75 V.

Інші пропозиції SIR578DP-T1-RE3 за ціною від 83.09 грн до 272.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SIR578DP-T1-RE3 SIR578DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir578dp.pdf Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta), 70.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 75 V
на замовлення 3801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+259.23 грн
10+163.25 грн
100+114.09 грн
500+87.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR578DP-T1-RE3 SIR578DP-T1-RE3 Vishay sir578dp.pdf MOSFETs SOT669 150V 70.2A N-CH MOSFET
на замовлення 6843 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+272.09 грн
10+175.06 грн
100+106.84 грн
500+87.98 грн
3000+83.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR578DP-T1-RE3 sir578dp.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta), 70.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 75 V
на замовлення 3801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+259.23 грн
10+163.25 грн
100+114.09 грн
500+87.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR578DP-T1-RE3 sir578dp.pdf
Виробник: Vishay
MOSFETs SOT669 150V 70.2A N-CH MOSFET
на замовлення 6843 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+272.09 грн
10+175.06 грн
100+106.84 грн
500+87.98 грн
3000+83.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.