Продукція > VISHAY > SIR5802DP-T1-RE3
SIR5802DP-T1-RE3

SIR5802DP-T1-RE3 Vishay

doc63057.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 80V 33.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+56.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIR5802DP-T1-RE3 Vishay

Description: VISHAY - SIR5802DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 137.5 A, 0.0024 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 137.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 104W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm, SVHC: No SVHC (19-Jan-2021).

Інші пропозиції SIR5802DP-T1-RE3 за ціною від 56.49 грн до 171.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIR5802DP-T1-RE3 SIR5802DP-T1-RE3 Виробник : Vishay doc63057.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 33.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+64.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5802DP-T1-RE3 SIR5802DP-T1-RE3 Виробник : VISHAY 3257158.pdf Description: VISHAY - SIR5802DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 137.5 A, 0.0024 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 4739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+108.26 грн
500+82.74 грн
1000+63.53 грн
3000+59.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5802DP-T1-RE3 SIR5802DP-T1-RE3 Виробник : Vishay Siliconix sir5802dp.pdf Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.6A (Ta), 137.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 40 V
на замовлення 1092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+169.44 грн
10+111.20 грн
100+78.46 грн
500+59.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5802DP-T1-RE3 SIR5802DP-T1-RE3 Виробник : VISHAY 3257158.pdf Description: VISHAY - SIR5802DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 137.5 A, 0.0024 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 4739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+171.55 грн
10+137.41 грн
100+108.26 грн
500+82.74 грн
1000+63.53 грн
3000+59.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5802DP-T1-RE3 SIR5802DP-T1-RE3 Виробник : Vishay sir5802dp.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 33.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5802DP-T1-RE3 Виробник : Vishay sir5802dp.pdf MOSFET N-CHANNEL 80-V (D-S)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 245-254 дні (днів)
Кількість Ціна
3+145.50 грн
10+119.52 грн
100+82.40 грн
250+75.72 грн
500+69.04 грн
1000+59.46 грн
2500+56.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5802DP-T1-RE3 Виробник : VISHAY sir5802dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 137.5A; Idm: 300A
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 137.5A
On-state resistance: 4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 104W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 60nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 300A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5802DP-T1-RE3 SIR5802DP-T1-RE3 Виробник : Vishay Siliconix sir5802dp.pdf Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.6A (Ta), 137.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5802DP-T1-RE3 Виробник : VISHAY sir5802dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 137.5A; Idm: 300A
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 137.5A
On-state resistance: 4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 104W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 60nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 300A
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.