Продукція > VISHAY SILICONIX > SIR5808DP-T1-RE3
SIR5808DP-T1-RE3

SIR5808DP-T1-RE3 Vishay Siliconix

sir5808dp.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.8A (Ta), 66.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 157mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 40 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+47.99 грн
6000+44.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIR5808DP-T1-RE3 Vishay Siliconix

Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.8A (Ta), 66.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 157mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 65.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 40 V.

Інші пропозиції SIR5808DP-T1-RE3 за ціною від 42.50 грн до 167.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIR5808DP-T1-RE3 SIR5808DP-T1-RE3 Виробник : Vishay / Siliconix sir5808dp.pdf MOSFETs N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
на замовлення 11684 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+136.34 грн
10+102.17 грн
100+61.55 грн
500+54.35 грн
1000+51.55 грн
3000+42.74 грн
6000+42.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5808DP-T1-RE3 SIR5808DP-T1-RE3 Виробник : Vishay Siliconix sir5808dp.pdf Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.8A (Ta), 66.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 157mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 40 V
на замовлення 11931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+167.97 грн
10+104.06 грн
100+70.83 грн
500+53.12 грн
1000+51.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5808DP-T1-RE3 Виробник : Vishay sir5808dp.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 18.8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.