SIR5808DP-T1-RE3 Vishay / Siliconix
Виробник: Vishay / SiliconixMOSFET N-Channel 80 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 7.35 mohm a. 10V 8.3 mohm a. 7.5V
на замовлення 11925 шт:
термін постачання 245-254 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 107.29 грн |
| 10+ | 86.30 грн |
| 100+ | 58.93 грн |
| 500+ | 49.88 грн |
| 1000+ | 40.61 грн |
| 3000+ | 38.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIR5808DP-T1-RE3 Vishay / Siliconix
Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.8A (Ta), 66.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 157mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 65.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 40 V.
Інші пропозиції SIR5808DP-T1-RE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| SIR5808DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 80V 18.8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
товару немає в наявності |
||
 |
SIR5808DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.8A (Ta), 66.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 157mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 65.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 40 V |
товару немає в наявності |
|
|
|
SIR5808DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.8A (Ta), 66.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 157mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 65.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 40 V |
товару немає в наявності |