SIR580DP-T1-BE3 Vishay Siliconix
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 208.87 грн |
| 10+ | 129.82 грн |
| 100+ | 89.37 грн |
| 500+ | 67.64 грн |
| 1000+ | 64.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIR580DP-T1-BE3 Vishay Siliconix
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 146A, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 80V, Drain current: 146A, Case: PowerPAK® SO8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 2.7mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 50.6nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Technology: TrenchFET®.
Інші пропозиції SIR580DP-T1-BE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SIR580DP-T1-BE3 | Vishay / Siliconix |
 MOSFETs N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET |
на замовлення 4801 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SIR580DP-T1-BE3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
MOSFETs N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
на замовлення 4801 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)