Продукція > VISHAY SILICONIX > SIR582DP-T1-RE3
SIR582DP-T1-RE3

SIR582DP-T1-RE3 Vishay Siliconix

sir582dp.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.9A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.6W (Ta), 92.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 40 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+59.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIR582DP-T1-RE3 Vishay Siliconix

Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.9A (Ta), 116A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 5.6W (Ta), 92.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 40 V.

Інші пропозиції SIR582DP-T1-RE3 за ціною від 53.52 грн до 192.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIR582DP-T1-RE3 SIR582DP-T1-RE3 Виробник : VISHAY sir582dp.pdf Description: VISHAY - SIR582DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 116 A, 0.0028 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 116
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 92.5
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 5566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+93.62 грн
500+71.05 грн
1000+54.63 грн
5000+53.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIR582DP-T1-RE3 SIR582DP-T1-RE3 Виробник : VISHAY sir582dp.pdf Description: VISHAY - SIR582DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 116 A, 0.0028 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 116
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 92.5
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 5566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+129.43 грн
10+116.41 грн
100+93.62 грн
500+71.05 грн
1000+54.63 грн
5000+53.52 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIR582DP-T1-RE3 SIR582DP-T1-RE3 Виробник : Vishay Siliconix sir582dp.pdf Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.9A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.6W (Ta), 92.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 40 V
на замовлення 3189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+130.31 грн
10+112.86 грн
100+90.70 грн
500+69.93 грн
1000+57.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIR582DP-T1-RE3 SIR582DP-T1-RE3 Виробник : Vishay Semiconductors sir582dp.pdf MOSFETs SOT669 N CHAN 80V
на замовлення 11927 шт:
термін постачання 210-219 дні (днів)
Кількість Ціна
2+192.18 грн
10+121.84 грн
100+72.42 грн
500+57.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIR582DP-T1-RE3 Виробник : VISHAY sir582dp.pdf SIR582DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.