SIR582DP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.6W (Ta), 92.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.9A (Ta), 116A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 59.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIR582DP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIR582DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 116 A, 2800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 116A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 92.5W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 92.5W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen V Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SIR582DP-T1-RE3 за ціною від 52.48 грн до 226.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIR582DP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR582DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 116 A, 2800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 116A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 92.5W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 92.5W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 1325 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SIR582DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 5.6W (Ta), 92.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.9A (Ta), 116A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 3189 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SIR582DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs PPAKSO8 N-CH 80V 28.9A |
на замовлення 7838 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SIR582DP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR582DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 116 A, 2800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 116A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 92.5W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 1325 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SIR582DP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 116A; Idm: 300A Technology: TrenchFET® Gate charge: 67nC On-state resistance: 3.9mΩ Power dissipation: 92.5W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 80V Drain current: 116A Pulsed drain current: 300A Case: PowerPAK® SO8 Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD |
товару немає в наявності |