SIR584DP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.7A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 40 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 51.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIR584DP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIR584DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0031 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80, Dauer-Drainstrom Id: 100, hazardous: false, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 83.3, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83.3, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: TrenchFET Gen V Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Інші пропозиції SIR584DP-T1-RE3 за ціною від 46.6 грн до 113.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIR584DP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR584DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0031 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80 Dauer-Drainstrom Id: 100 hazardous: false Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 83.3 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 euEccn: NLR Verlustleistung: 83.3 Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 5620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SIR584DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET N-CH 80-V MSFT |
на замовлення 4692 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SIR584DP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR584DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0031 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80 Dauer-Drainstrom Id: 100 hazardous: false Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 83.3 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 euEccn: NLR Verlustleistung: 83.3 Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 5620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SIR584DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.7A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 40 V |
на замовлення 5320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SIR584DP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
SIR584DP-T1-RE3 SMD N channel transistors |
товар відсутній |