SIR588DP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta), 59.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 59.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 40 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 31.35 грн |
| 6000+ | 28.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIR588DP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIR588DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 59.5 A, 8000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 59.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 59.5W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 59.5W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen V Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0063ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SIR588DP-T1-RE3 за ціною від 27.81 грн до 123.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIR588DP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR588DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 59.5 A, 8000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 59.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 59.5W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 59.5W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0063ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 2597 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIR588DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta), 59.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 59.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 40 V |
на замовлення 8519 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIR588DP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR588DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 59.5 A, 8000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 59.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 59.5W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 2597 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIR588DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs PPAKSO8 N-CH 80V 17.2A |
на замовлення 5582 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|