Продукція > VISHAY SILICONIX > SIR606BDP-T1-RE3
SIR606BDP-T1-RE3

SIR606BDP-T1-RE3 Vishay Siliconix

sir606bdp.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 10.9A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.4mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta), 38.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+38.24 грн
6000+34.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIR606BDP-T1-RE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIR606BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 38.7 A, 0.0145 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 38.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 62.5W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm.

Інші пропозиції SIR606BDP-T1-RE3 за ціною від 38.94 грн до 133.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIR606BDP-T1-RE3 SIR606BDP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir606bdp.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 10.9A PPAK
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.4mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta), 38.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
на замовлення 8914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.73 грн
10+82.39 грн
100+56.31 грн
500+43.12 грн
1000+38.94 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR606BDP-T1-RE3 SIR606BDP-T1-RE3 Vishay / Siliconix sir606bdp.pdf MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 3887 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR606BDP-T1-RE3 SIR606BDP-T1-RE3 VISHAY 2579974.pdf Description: VISHAY - SIR606BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 38.7 A, 0.0145 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
на замовлення 29328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR606BDP-T1-RE3 SIR606BDP-T1-RE3 VISHAY 2579974.pdf Description: VISHAY - SIR606BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 38.7 A, 0.0145 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
на замовлення 29328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR606BDP-T1-RE3 sir606bdp.pdf
SIR606BDP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 10.9A PPAK
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.4mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta), 38.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
на замовлення 8914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+133.73 грн
10+82.39 грн
100+56.31 грн
500+43.12 грн
1000+38.94 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR606BDP-T1-RE3 sir606bdp.pdf
SIR606BDP-T1-RE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 3887 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR606BDP-T1-RE3 2579974.pdf
SIR606BDP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR606BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 38.7 A, 0.0145 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
на замовлення 29328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR606BDP-T1-RE3 2579974.pdf
SIR606BDP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR606BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 38.7 A, 0.0145 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
на замовлення 29328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.