| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 208+ | 67.64 грн |
| 210+ | 66.96 грн |
| 212+ | 66.29 грн |
| 228+ | 59.42 грн |
| 250+ | 54.22 грн |
| 500+ | 48.81 грн |
| 1000+ | 47.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIR606DP-T1-GE3 Vishay
Description: MOSFET N-CH 100V 37A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.2mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 44.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 6 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 50 V.
Інші пропозиції SIR606DP-T1-GE3 за ціною від 41.53 грн до 104.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SIR606DP-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 37A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 1860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SIR606DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 37A PPAK SO-8Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.2mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 44.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 50 V |
на замовлення 2563 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SIR606DP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 11489 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SIR606DP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 37A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 37A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 1860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 72.17 грн |
| 12+ | 67.64 грн |
| 25+ | 66.96 грн |
| 50+ | 63.92 грн |
| 100+ | 55.02 грн |
| 250+ | 52.05 грн |
| 500+ | 48.81 грн |
| 1000+ | 47.57 грн |
| SIR606DP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 37A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 44.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 100V 37A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 44.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 50 V
на замовлення 2563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 104.68 грн |
| 10+ | 82.42 грн |
| 100+ | 64.09 грн |
| 500+ | 50.98 грн |
| 1000+ | 41.53 грн |
| SIR606DP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 11489 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)





