Продукція > VISHAY > SIR606DP-T1-GE3
SIR606DP-T1-GE3

SIR606DP-T1-GE3 Vishay

sir606dp.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 37A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 1860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
208+62.14 грн
210+61.51 грн
212+60.90 грн
228+54.59 грн
250+49.81 грн
500+44.84 грн
1000+43.71 грн
Мінімальне замовлення: 208
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIR606DP-T1-GE3 Vishay

Description: MOSFET N-CH 100V 37A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.2mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 44.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 6 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 50 V.

Інші пропозиції SIR606DP-T1-GE3 за ціною від 42.32 грн до 106.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIR606DP-T1-GE3 SIR606DP-T1-GE3 Виробник : Vishay sir606dp.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 37A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 1860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+71.03 грн
12+66.58 грн
25+65.91 грн
50+62.92 грн
100+54.15 грн
250+51.24 грн
500+48.04 грн
1000+46.83 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SIR606DP-T1-GE3 SIR606DP-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sir606dp.pdf MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 11489 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+102.49 грн
10+84.19 грн
100+57.87 грн
500+52.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIR606DP-T1-GE3 SIR606DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sir606dp.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 37A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 44.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 50 V
на замовлення 2563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+106.68 грн
10+83.99 грн
100+65.31 грн
500+51.95 грн
1000+42.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIR606DP-T1-GE3 SIR606DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sir606dp.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 37A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 44.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.