SIR610DP-T1-RE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SIR610DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 35.4 A, 0.0239 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0239ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 11960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 84.80 грн |
| 500+ | 73.93 грн |
| 1000+ | 63.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIR610DP-T1-RE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIR610DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 35.4 A, 0.0239 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: ThunderFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0239ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції SIR610DP-T1-RE3 за ціною від 56.69 грн до 178.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIR610DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 21349 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SIR610DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 35.4A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.9mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 100 V |
на замовлення 1757 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SIR610DP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR610DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 35.4 A, 0.0239 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: ThunderFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0239ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 11960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SIR610DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay |
N-Channel 200 V (D-S) MOSFET |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
| SIR610DP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
SIR610DP-T1-RE3 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
|
|
SIR610DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 35.4A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.9mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |