SiR616DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 20.2A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 100 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 39.14 грн |
| 6000+ | 35.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SiR616DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIR616DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 20.2 A, 0.0505 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 52W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: ThunderFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0505ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SiR616DP-T1-GE3 за ціною від 41.06 грн до 132.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIR616DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR616DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 20.2 A, 0.0505 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: ThunderFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0505ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SIR616DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR616DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 20.2 A, 0.0505 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: ThunderFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0505ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SiR616DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 12652 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SiR616DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 20.2A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 7.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 100 V |
на замовлення 8845 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SIR616DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 6.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
SIR616DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 6.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| SiR616DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
SIR616DP-T1-GE3 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |