SiR616DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 20.2A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 7.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 37.34 грн |
| 6000+ | 34.10 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SiR616DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIR616DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 20.2 A, 0.0505 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 52W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: ThunderFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0505ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SiR616DP-T1-GE3 за ціною від 39.17 грн до 125.91 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SiR616DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 20.2A PPAK SO-8 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 7.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Power Dissipation (Max): 52W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50.5mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA |
на замовлення 8845 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SiR616DP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 10214 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
SIR616DP-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIR616DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 20.2 A, 0.0505 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: ThunderFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0505ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
SIR616DP-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIR616DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 20.2 A, 0.0505 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: ThunderFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0505ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| SiR616DP-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 20.2A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 7.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Description: MOSFET N-CH 200V 20.2A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 7.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
на замовлення 8845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 125.91 грн |
| 10+ | 70.26 грн |
| 100+ | 51.73 грн |
| 500+ | 41.36 грн |
| 1000+ | 39.17 грн |
| SiR616DP-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
MOSFETs 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 10214 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SIR616DP-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR616DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 20.2 A, 0.0505 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0505ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SIR616DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 20.2 A, 0.0505 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0505ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SIR616DP-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR616DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 20.2 A, 0.0505 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0505ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SIR616DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 20.2 A, 0.0505 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0505ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)