Продукція > VISHAY SILICONIX > SiR618DP-T1-GE3
SiR618DP-T1-GE3

SiR618DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

sir618dp.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 14.2A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+31.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SiR618DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 200V 14.2A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 8A, 10V, Power Dissipation (Max): 48W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 7.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 100 V.

Інші пропозиції SiR618DP-T1-GE3 за ціною від 32.08 грн до 84.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SiR618DP-T1-GE3 SiR618DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sir618dp.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 14.2A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 100 V
на замовлення 4378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.78 грн
10+40.92 грн
100+35.12 грн
500+32.08 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SiR618DP-T1-GE3 SiR618DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sir618dp.pdf MOSFET 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 20467 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+84.12 грн
10+65.10 грн
100+46.96 грн
500+41.87 грн
1000+39.36 грн
9000+38.60 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIR618DP-T1-GE3 SIR618DP-T1-GE3 Виробник : Vishay sir618dp.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 14.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR618DP-T1-GE3 SIR618DP-T1-GE3 Виробник : Vishay sir618dp.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 14.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR618DP-T1-GE3 SIR618DP-T1-GE3 Виробник : Vishay sir618dp.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 14.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiR618DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY sir618dp.pdf SIR618DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.