на замовлення 4484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 55.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIR622DP-T1-GE3 Vishay
Description: MOSFET N-CH 150V 51.6A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.7mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 104W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 7.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1516 pF @ 75 V.
Інші пропозиції SIR622DP-T1-GE3 за ціною від 43.49 грн до 118.09 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SIR622DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 150V 51.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 4484 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SiR622DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors | MOSFET 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 985-994 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIR622DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 150V 51.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SiR622DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 51.6A; Idm: 100A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 51.6A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 104W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 20.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 41nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SiR622DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 150V 51.6A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.7mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 7.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1516 pF @ 75 V |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SiR622DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 150V 51.6A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.7mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 7.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1516 pF @ 75 V |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SiR622DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 51.6A; Idm: 100A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 51.6A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 104W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 20.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 41nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |