Продукція > VISHAY > SIR622DP-T1-GE3
SIR622DP-T1-GE3

SIR622DP-T1-GE3 Vishay


sir622dp.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 150V 51.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 4484 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+55.33 грн
Мінімальне замовлення: 11
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIR622DP-T1-GE3 Vishay

Description: MOSFET N-CH 150V 51.6A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.7mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 104W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 7.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1516 pF @ 75 V.

Інші пропозиції SIR622DP-T1-GE3 за ціною від 43.49 грн до 118.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SIR622DP-T1-GE3 SIR622DP-T1-GE3 Виробник : Vishay sir622dp.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 51.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 4484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
196+59.59 грн
Мінімальне замовлення: 196
SiR622DP-T1-GE3 SiR622DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sir622dp.pdf MOSFET 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 985-994 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+118.09 грн
10+ 95.73 грн
100+ 64.4 грн
500+ 54.54 грн
1000+ 44.48 грн
3000+ 43.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIR622DP-T1-GE3 SIR622DP-T1-GE3 Виробник : Vishay sir622dp.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 51.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товар відсутній
SiR622DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY sir622dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 51.6A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 51.6A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 104W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 41nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SiR622DP-T1-GE3 SiR622DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sir622dp.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 51.6A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1516 pF @ 75 V
товар відсутній
SiR622DP-T1-GE3 SiR622DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sir622dp.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 51.6A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1516 pF @ 75 V
товар відсутній
SiR622DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY sir622dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 51.6A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 51.6A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 104W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 41nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній