SiR622DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 51.6A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1516 pF @ 75 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 41.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SiR622DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 51.6A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.7mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 104W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 7.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1516 pF @ 75 V.
Інші пропозиції SiR622DP-T1-GE3 за ціною від 44.30 грн до 167.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SiR622DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 150V 51.6A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.7mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 7.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1516 pF @ 75 V |
на замовлення 5871 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SiR622DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 2936 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|