Продукція > VISHAY SILICONIX > SiR624DP-T1-GE3
SiR624DP-T1-GE3

SiR624DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

sir624dp.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 18.6A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 7.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+114.96 грн
10+70.49 грн
100+47.25 грн
500+35.00 грн
1000+32.00 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SiR624DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIR624DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18.6 A, 0.06 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 52W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: ThunderFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm.

Інші пропозиції SiR624DP-T1-GE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIR624DP-T1-GE3 SIR624DP-T1-GE3 VISHAY sir624dp.pdf Description: VISHAY - SIR624DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18.6 A, 0.06 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 17283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiR624DP-T1-GE3 SiR624DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix sir624dp.pdf MOSFETs 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 17442 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR624DP-T1-GE3 SIR624DP-T1-GE3 VISHAY sir624dp.pdf Description: VISHAY - SIR624DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18.6 A, 0.06 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 17283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR624DP-T1-GE3 sir624dp.pdf
SIR624DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR624DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18.6 A, 0.06 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 17283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiR624DP-T1-GE3 sir624dp.pdf
SiR624DP-T1-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 17442 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR624DP-T1-GE3 sir624dp.pdf
SIR624DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR624DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18.6 A, 0.06 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 17283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.