SIR624DP-T1-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SIR624DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18.6 A, 0.06 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 17713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 54.28 грн |
| 500+ | 36.64 грн |
| 1000+ | 30.85 грн |
| 5000+ | 27.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIR624DP-T1-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIR624DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18.6 A, 0.06 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 52W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: ThunderFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SIR624DP-T1-GE3 за ціною від 27.80 грн до 120.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SiR624DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 20721 шт: термін постачання 668-677 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SIR624DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR624DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18.6 A, 0.06 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: ThunderFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 17713 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SiR624DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 18.6A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 7.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 100 V |
на замовлення 2193 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SIR624DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 5.7A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
SIR624DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 5.7A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
SiR624DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 18.6A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 7.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |