Продукція > VISHAY SILICONIX > SIR626ADP-T1-RE3
SIR626ADP-T1-RE3

SIR626ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix

sir626adp.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 40.4A/165A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40.4A (Ta), 165A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 30 V
на замовлення 2017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+204.90 грн
10+127.65 грн
100+87.88 грн
500+66.50 грн
1000+63.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIR626ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIR626ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 165 A, 1750 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 165A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, Verlustleistung: 104W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET GEN IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1750µohm.

Інші пропозиції SIR626ADP-T1-RE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIR626ADP-T1-RE3 SIR626ADP-T1-RE3 Vishay Semiconductors sir626adp.pdf MOSFETs N-Channel 60-V
на замовлення 11468 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR626ADP-T1-RE3 SIR626ADP-T1-RE3 VISHAY VISH-S-A0012815796-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR626ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 165 A, 1750 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 165A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET GEN IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1750µohm
на замовлення 860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR626ADP-T1-RE3 SIR626ADP-T1-RE3 VISHAY VISH-S-A0012815796-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR626ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 165 A, 1750 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 165A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET GEN IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1750µohm
на замовлення 860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR626ADP-T1-RE3 sir626adp.pdf
SIR626ADP-T1-RE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Channel 60-V
на замовлення 11468 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR626ADP-T1-RE3 VISH-S-A0012815796-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIR626ADP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR626ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 165 A, 1750 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 165A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET GEN IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1750µohm
на замовлення 860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR626ADP-T1-RE3 VISH-S-A0012815796-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIR626ADP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR626ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 165 A, 1750 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 165A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET GEN IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1750µohm
на замовлення 860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.