SiR626DP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 100A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5130 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 54.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SiR626DP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIR626DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0014 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm.
Інші пропозиції SiR626DP-T1-RE3 за ціною від 50.48 грн до 130.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIR626DP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR626DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0014 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm |
на замовлення 21992 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
SIR626DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 28765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
SIR626DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 28765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
SiR626DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 100A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 7.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5130 pF @ 30 V |
на замовлення 4884 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
SIR626DP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR626DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0014 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm |
на замовлення 21992 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
SiR626DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 3105 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
SiR626DP-T1-RE3 Код товару: 197577 |
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1 |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||||||
 |
SIR626DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
| SiR626DP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 34.2A; 4W; PowerPAK® SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 34.2A Power dissipation: 4W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 102nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||||
| SiR626DP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 34.2A; 4W; PowerPAK® SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 34.2A Power dissipation: 4W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 102nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |