Продукція > Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1 > SiR626DP-T1-RE3

SiR626DP-T1-RE3

sir626dp.pdf
Код товару: 197577
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SiR626DP-T1-RE3 за ціною від 62.08 грн до 235.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SiR626DP-T1-RE3 SiR626DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir626dp.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 100A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5130 pF @ 30 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+67.43 грн
6000+62.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR626DP-T1-RE3 SIR626DP-T1-RE3 Vishay sir626dp.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+93.85 грн
6000+89.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR626DP-T1-RE3 SIR626DP-T1-RE3 Vishay sir626dp.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+93.85 грн
6000+89.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR626DP-T1-RE3 SIR626DP-T1-RE3 VISHAY sir626dp.pdf Description: VISHAY - SIR626DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 1700 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
на замовлення 17943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+111.01 грн
500+78.65 грн
1500+68.02 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR626DP-T1-RE3 SIR626DP-T1-RE3 Vishay sir626dp.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 4770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
111+128.44 грн
127+111.81 грн
1000+107.19 грн
3000+89.15 грн
Мінімальне замовлення: 111 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR626DP-T1-RE3 SIR626DP-T1-RE3 Vishay sir626dp.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+139.53 грн
10+122.72 грн
25+121.49 грн
100+100.50 грн
250+92.13 грн
500+86.04 грн
1000+83.64 грн
3000+81.25 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR626DP-T1-RE3 SIR626DP-T1-RE3 Vishay sir626dp.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
102+139.53 грн
116+122.72 грн
117+121.49 грн
136+100.50 грн
250+92.13 грн
500+86.04 грн
1000+83.64 грн
3000+81.25 грн
Мінімальне замовлення: 102 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiR626DP-T1-RE3 SiR626DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir626dp.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 100A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5130 pF @ 30 V
на замовлення 10708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+222.81 грн
10+139.66 грн
100+96.67 грн
500+73.49 грн
1000+71.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiR626DP-T1-RE3 SiR626DP-T1-RE3 Vishay Semiconductors sir626dp.pdf MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 3962 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+225.31 грн
10+146.71 грн
100+90.22 грн
500+73.30 грн
1000+71.19 грн
3000+67.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR626DP-T1-RE3 SIR626DP-T1-RE3 VISHAY VISH-S-A0007341514-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR626DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 1700 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
на замовлення 17943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+235.18 грн
50+154.59 грн
100+111.01 грн
500+78.65 грн
1500+68.02 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiR626DP-T1-RE3 sir626dp.pdf
SiR626DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 100A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5130 pF @ 30 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+67.43 грн
6000+62.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR626DP-T1-RE3 sir626dp.pdf
SIR626DP-T1-RE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+93.85 грн
6000+89.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR626DP-T1-RE3 sir626dp.pdf
SIR626DP-T1-RE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+93.85 грн
6000+89.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR626DP-T1-RE3 sir626dp.pdf
SIR626DP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR626DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 1700 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
на замовлення 17943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+111.01 грн
500+78.65 грн
1500+68.02 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR626DP-T1-RE3 sir626dp.pdf
SIR626DP-T1-RE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 4770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
111+128.44 грн
127+111.81 грн
1000+107.19 грн
3000+89.15 грн
Мінімальне замовлення: 111 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR626DP-T1-RE3 sir626dp.pdf
SIR626DP-T1-RE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+139.53 грн
10+122.72 грн
25+121.49 грн
100+100.50 грн
250+92.13 грн
500+86.04 грн
1000+83.64 грн
3000+81.25 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR626DP-T1-RE3 sir626dp.pdf
SIR626DP-T1-RE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
102+139.53 грн
116+122.72 грн
117+121.49 грн
136+100.50 грн
250+92.13 грн
500+86.04 грн
1000+83.64 грн
3000+81.25 грн
Мінімальне замовлення: 102 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiR626DP-T1-RE3 sir626dp.pdf
SiR626DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 100A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5130 pF @ 30 V
на замовлення 10708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+222.81 грн
10+139.66 грн
100+96.67 грн
500+73.49 грн
1000+71.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiR626DP-T1-RE3 sir626dp.pdf
SiR626DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 3962 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+225.31 грн
10+146.71 грн
100+90.22 грн
500+73.30 грн
1000+71.19 грн
3000+67.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR626DP-T1-RE3 VISH-S-A0007341514-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIR626DP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR626DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 1700 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
на замовлення 17943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+235.18 грн
50+154.59 грн
100+111.01 грн
500+78.65 грн
1500+68.02 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.