SiR626DP-T1-RE3
Код товару: 197577
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції SiR626DP-T1-RE3 за ціною від 61.25 грн до 231.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SiR626DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 100A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 7.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5130 pF @ 30 V |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SIR626DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SIR626DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SIR626DP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR626DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 1700 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm SVHC: Lead (04-Feb-2026) |
на замовлення 18043 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SIR626DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 4770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SIR626DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 3779 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SIR626DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 3779 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SiR626DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 100A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 7.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5130 pF @ 30 V |
на замовлення 10708 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SiR626DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 3962 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SIR626DP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR626DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 1700 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm SVHC: Lead (04-Feb-2026) |
на замовлення 17943 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| SiR626DP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 34.2A; 4W Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Gate charge: 102nC On-state resistance: 2.6mΩ Power dissipation: 4W Gate-source voltage: ±20V Drain current: 34.2A Drain-source voltage: 60V Kind of package: reel; tape Case: PowerPAK® SO8 |
товару немає в наявності |