SIR626LDP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 45.6A/186A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.6A (Ta), 186A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900 pF @ 30 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 52.49 грн |
| 6000+ | 49.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIR626LDP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 45.6A/186A PPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.6A (Ta), 186A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900 pF @ 30 V.
Інші пропозиції SIR626LDP-T1-RE3 за ціною від 54.81 грн до 181.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SIR626LDP-T1-RE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 45.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 4337 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
SIR626LDP-T1-RE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 45.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 4337 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
SIR626LDP-T1-RE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs 60V Vds; 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 13814 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
SIR626LDP-T1-RE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 45.6A/186A PPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.6A (Ta), 186A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900 pF @ 30 V |
на замовлення 9317 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
| SIR626LDP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
SIR626LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors |
на замовлення 2209 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
|
|
SIR626LDP-T1-RE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 45.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
SIR626LDP-T1-RE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 45.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
товару немає в наявності |

