на замовлення 4337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 89+ | 140.48 грн |
| 108+ | 115.51 грн |
| 109+ | 114.36 грн |
| 110+ | 109.18 грн |
| 138+ | 80.11 грн |
| 250+ | 72.83 грн |
| 500+ | 63.40 грн |
| 1000+ | 59.23 грн |
| 3000+ | 55.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIR626LDP-T1-RE3 Vishay
Description: MOSFET N-CH 60V 45.6A/186A PPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.6A (Ta), 186A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900 pF @ 30 V.
Інші пропозиції SIR626LDP-T1-RE3 за ціною від 54.68 грн до 173.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SIR626LDP-T1-RE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 60V 45.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 4337 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
SIR626LDP-T1-RE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 45.6A/186A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.6A (Ta), 186A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900 pF @ 30 V |
на замовлення 3193 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
SIR626LDP-T1-RE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs 60V Vds; 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 13814 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
| SIR626LDP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
SIR626LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors |
на замовлення 2209 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
 |
SIR626LDP-T1-RE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 45.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
|
SIR626LDP-T1-RE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 45.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
|
SIR626LDP-T1-RE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 45.6A/186A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.6A (Ta), 186A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900 pF @ 30 V |
товару немає в наявності |