Продукція > VISHAY SILICONIX > SIR626LDP-T1-RE3
SIR626LDP-T1-RE3

SIR626LDP-T1-RE3 Vishay Siliconix

sir626ldp.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 45.6A/186A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.6A (Ta), 186A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900 pF @ 30 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+49.72 грн
6000+47.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIR626LDP-T1-RE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 45.6A/186A PPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.6A (Ta), 186A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900 pF @ 30 V.

Інші пропозиції SIR626LDP-T1-RE3 за ціною від 49.92 грн до 171.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIR626LDP-T1-RE3 SIR626LDP-T1-RE3 Виробник : Vishay id-714329-sir626ldp.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 45.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 4337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
89+146.49 грн
108+120.44 грн
109+119.25 грн
110+113.84 грн
138+83.53 грн
250+75.94 грн
500+66.11 грн
1000+61.76 грн
3000+57.42 грн
Мінімальне замовлення: 89
В кошику  од. на суму  грн.
SIR626LDP-T1-RE3 SIR626LDP-T1-RE3 Виробник : Vishay id-714329-sir626ldp.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 45.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 4337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+156.95 грн
10+129.05 грн
25+127.77 грн
50+121.98 грн
100+89.50 грн
250+81.37 грн
500+70.83 грн
1000+66.17 грн
3000+61.52 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIR626LDP-T1-RE3 SIR626LDP-T1-RE3 Виробник : Vishay / Siliconix sir626ldp.pdf MOSFETs 60V Vds; 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 13814 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+158.62 грн
10+109.05 грн
100+69.58 грн
500+57.38 грн
1000+54.18 грн
3000+49.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIR626LDP-T1-RE3 SIR626LDP-T1-RE3 Виробник : Vishay Siliconix sir626ldp.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 45.6A/186A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.6A (Ta), 186A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900 pF @ 30 V
на замовлення 9317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+171.78 грн
10+106.20 грн
100+72.69 грн
500+54.75 грн
1000+54.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIR626LDP-T1-RE3 SIR626LDP-T1-RE3 Виробник : Vishay id-714329-sir626ldp.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 45.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.