Продукція > VISHAY SILICONIX > SIR626LDP-T1-RE3
SIR626LDP-T1-RE3

SIR626LDP-T1-RE3 Vishay Siliconix

sir626ldp.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 45.6A/186A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.6A (Ta), 186A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+61.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIR626LDP-T1-RE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 45.6A/186A PPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.6A (Ta), 186A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900 pF @ 30 V.

Інші пропозиції SIR626LDP-T1-RE3 за ціною від 62.78 грн до 206.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIR626LDP-T1-RE3 SIR626LDP-T1-RE3 VISHAY sir626ldp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 186A; Idm: 400A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 135nC
On-state resistance: 2.1mΩ
Power dissipation: 104W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 186A
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 400A
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® SO8
на замовлення 1647 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+127.96 грн
10+85.35 грн
100+66.94 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR626LDP-T1-RE3 SIR626LDP-T1-RE3 Vishay id-714329-sir626ldp.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 45.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 4337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+160.17 грн
10+131.69 грн
25+130.39 грн
50+124.48 грн
100+91.33 грн
250+83.04 грн
500+72.29 грн
1000+67.53 грн
3000+62.78 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR626LDP-T1-RE3 SIR626LDP-T1-RE3 Vishay id-714329-sir626ldp.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 45.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 4337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
89+160.17 грн
108+131.69 грн
109+130.39 грн
110+124.48 грн
138+91.33 грн
250+83.04 грн
500+72.29 грн
1000+67.53 грн
3000+62.78 грн
Мінімальне замовлення: 89 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR626LDP-T1-RE3 SIR626LDP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir626ldp.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 45.6A/186A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.6A (Ta), 186A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900 pF @ 30 V
на замовлення 3358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+206.47 грн
10+128.93 грн
100+88.93 грн
500+67.40 грн
1000+64.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR626LDP-T1-RE3 SIR626LDP-T1-RE3 Vishay / Siliconix sir626ldp.pdf MOSFETs 60V Vds; 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 22651 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR626LDP-T1-RE3 sir626ldp.pdf
SIR626LDP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 186A; Idm: 400A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 135nC
On-state resistance: 2.1mΩ
Power dissipation: 104W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 186A
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 400A
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® SO8
на замовлення 1647 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+127.96 грн
10+85.35 грн
100+66.94 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR626LDP-T1-RE3 id-714329-sir626ldp.pdf
SIR626LDP-T1-RE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 45.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 4337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+160.17 грн
10+131.69 грн
25+130.39 грн
50+124.48 грн
100+91.33 грн
250+83.04 грн
500+72.29 грн
1000+67.53 грн
3000+62.78 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR626LDP-T1-RE3 id-714329-sir626ldp.pdf
SIR626LDP-T1-RE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 45.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 4337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
89+160.17 грн
108+131.69 грн
109+130.39 грн
110+124.48 грн
138+91.33 грн
250+83.04 грн
500+72.29 грн
1000+67.53 грн
3000+62.78 грн
Мінімальне замовлення: 89 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR626LDP-T1-RE3 sir626ldp.pdf
SIR626LDP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 45.6A/186A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.6A (Ta), 186A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900 pF @ 30 V
на замовлення 3358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+206.47 грн
10+128.93 грн
100+88.93 грн
500+67.40 грн
1000+64.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR626LDP-T1-RE3 sir626ldp.pdf
SIR626LDP-T1-RE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 60V Vds; 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 22651 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.