на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 199+ | 59.7 грн |
| 201+ | 59.11 грн |
| 203+ | 58.52 грн |
| 227+ | 50.59 грн |
| 292+ | 36.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIR632DP-T1-RE3 Vishay
Description: VISHAY - SIR632DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 29 A, 0.0285 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 29A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 69.5W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: ThunderFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0285ohm.
Інші пропозиції SIR632DP-T1-RE3 за ціною від 32.41 грн до 115.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SIR632DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 150V 29A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 299 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SIR632DP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR632DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 29 A, 0.0285 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 69.5W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: ThunderFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0285ohm |
на замовлення 1054 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SIR632DP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR632DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 29 A, 0.0285 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 69.5W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: ThunderFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0285ohm |
на замовлення 1054 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SiR632DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 150V 29A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 69.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 7.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 75 V |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SiR632DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 7721 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SIR632DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 29A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| SiR632DP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 29A; Idm: 50A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 29A Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 69.5W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 41mΩ Mounting: SMD Gate charge: 21nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
|
|
SiR632DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 150V 29A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 69.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 7.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 75 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| SiR632DP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 29A; Idm: 50A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 29A Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 69.5W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 41mΩ Mounting: SMD Gate charge: 21nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |