Продукція > VISHAY SILICONIX > SIR640ADP-T1-GE3
SIR640ADP-T1-GE3

SIR640ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix

sir640adp.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 41.6A/100A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41.6A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4240 pF @ 20 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+53.19 грн
6000+51.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIR640ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 41.6A/100A PPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41.6A (Ta), 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4240 pF @ 20 V.

Інші пропозиції SIR640ADP-T1-GE3 за ціною від 58.03 грн до 182.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIR640ADP-T1-GE3 SIR640ADP-T1-GE3 Vishay sir640adp.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 41.6A 8-Pin PowerPAK SO EP
на замовлення 5530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+155.19 грн
10+133.83 грн
100+110.93 грн
250+105.89 грн
500+85.93 грн
1000+71.51 грн
3000+69.51 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR640ADP-T1-GE3 SIR640ADP-T1-GE3 Vishay sir640adp.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 41.6A 8-Pin PowerPAK SO EP
на замовлення 5530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
95+155.19 грн
110+133.83 грн
132+110.93 грн
250+105.89 грн
500+85.93 грн
1000+71.51 грн
3000+69.51 грн
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR640ADP-T1-GE3 SIR640ADP-T1-GE3 Vishay Semiconductors sir640adp.pdf MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 5195 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+169.92 грн
10+115.69 грн
100+73.57 грн
500+62.01 грн
1000+58.48 грн
3000+58.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR640ADP-T1-GE3 SIR640ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir640adp.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 41.6A/100A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41.6A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4240 pF @ 20 V
на замовлення 13251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+182.11 грн
10+112.85 грн
100+77.41 грн
500+58.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR640ADP-T1-GE3 sir640adp.pdf
SIR640ADP-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 41.6A 8-Pin PowerPAK SO EP
на замовлення 5530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+155.19 грн
10+133.83 грн
100+110.93 грн
250+105.89 грн
500+85.93 грн
1000+71.51 грн
3000+69.51 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR640ADP-T1-GE3 sir640adp.pdf
SIR640ADP-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 41.6A 8-Pin PowerPAK SO EP
на замовлення 5530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
95+155.19 грн
110+133.83 грн
132+110.93 грн
250+105.89 грн
500+85.93 грн
1000+71.51 грн
3000+69.51 грн
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR640ADP-T1-GE3 sir640adp.pdf
SIR640ADP-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 5195 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+169.92 грн
10+115.69 грн
100+73.57 грн
500+62.01 грн
1000+58.48 грн
3000+58.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR640ADP-T1-GE3 sir640adp.pdf
SIR640ADP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 41.6A/100A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41.6A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4240 pF @ 20 V
на замовлення 13251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+182.11 грн
10+112.85 грн
100+77.41 грн
500+58.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.