на замовлення 5530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 114.5 грн |
| 10+ | 98.74 грн |
| 100+ | 81.84 грн |
| 250+ | 78.13 грн |
| 500+ | 63.4 грн |
| 1000+ | 52.76 грн |
| 3000+ | 51.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIR640ADP-T1-GE3 Vishay
Description: MOSFET N-CH 40V 41.6A/100A PPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41.6A (Ta), 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4240 pF @ 20 V.
Інші пропозиції SIR640ADP-T1-GE3 за ціною від 51.35 грн до 132.96 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SIR640ADP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 40V 41.6A 8-Pin PowerPAK SO EP |
на замовлення 5530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIR640ADP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 2845 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIR640ADP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 41.6A 8-Pin PowerPAK SO EP |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
SIR640ADP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 41.6A 8-Pin PowerPAK SO EP |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
SIR640ADP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 41.6A 8-Pin PowerPAK SO EP |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| SIR640ADP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 100A; Idm: 350A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Pulsed drain current: 350A Power dissipation: 104W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 90nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
 |
SIR640ADP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 41.6A/100A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41.6A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4240 pF @ 20 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
SIR640ADP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 41.6A/100A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41.6A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4240 pF @ 20 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| SIR640ADP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 100A; Idm: 350A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Pulsed drain current: 350A Power dissipation: 104W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 90nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |