Продукція > VISHAY > SIR640ADP-T1-GE3
SIR640ADP-T1-GE3

SIR640ADP-T1-GE3 Vishay

sir640adp.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 41.6A 8-Pin PowerPAK SO EP
на замовлення 5530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+120.30 грн
10+103.74 грн
100+85.98 грн
250+82.08 грн
500+66.61 грн
1000+55.43 грн
3000+53.88 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIR640ADP-T1-GE3 Vishay

Description: MOSFET N-CH 40V 41.6A/100A PPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41.6A (Ta), 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4240 pF @ 20 V.

Інші пропозиції SIR640ADP-T1-GE3 за ціною від 56.35 грн до 159.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIR640ADP-T1-GE3 SIR640ADP-T1-GE3 Виробник : Vishay sir640adp.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 41.6A 8-Pin PowerPAK SO EP
на замовлення 5530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
95+129.55 грн
110+111.72 грн
132+92.60 грн
250+88.40 грн
500+71.73 грн
1000+59.69 грн
3000+58.03 грн
Мінімальне замовлення: 95
В кошику  од. на суму  грн.
SIR640ADP-T1-GE3 SIR640ADP-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sir640adp.pdf MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 8426 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+155.35 грн
10+109.98 грн
100+73.42 грн
250+68.71 грн
500+62.09 грн
1000+58.05 грн
3000+56.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIR640ADP-T1-GE3 SIR640ADP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sir640adp.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 41.6A/100A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41.6A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4240 pF @ 20 V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+159.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIR640ADP-T1-GE3 SIR640ADP-T1-GE3 Виробник : Vishay sir640adp.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 41.6A 8-Pin PowerPAK SO EP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR640ADP-T1-GE3 SIR640ADP-T1-GE3 Виробник : Vishay sir640adp.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 41.6A 8-Pin PowerPAK SO EP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR640ADP-T1-GE3 SIR640ADP-T1-GE3 Виробник : Vishay sir640adp.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 41.6A 8-Pin PowerPAK SO EP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR640ADP-T1-GE3 Виробник : VISHAY sir640adp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 100A; Idm: 350A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 104W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR640ADP-T1-GE3 SIR640ADP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sir640adp.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 41.6A/100A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41.6A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4240 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR640ADP-T1-GE3 Виробник : VISHAY sir640adp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 100A; Idm: 350A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 104W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.