Продукція > VISHAY SILICONIX > SIR662DP-T1-GE3
SIR662DP-T1-GE3

SIR662DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

sir662dp.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4365 pF @ 30 V
на замовлення 2630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+159.16 грн
10+110.66 грн
100+82.05 грн
500+63.51 грн
1000+62.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIR662DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4365 pF @ 30 V.

Інші пропозиції SIR662DP-T1-GE3 за ціною від 75.78 грн до 223.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIR662DP-T1-GE3 SIR662DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sir662dp.pdf MOSFETs 60V 2.7mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET
на замовлення 11682 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+223.16 грн
10+142.98 грн
100+85.34 грн
500+76.51 грн
3000+75.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIR662DP-T1-GE3 SIR662DP-T1-GE3 Виробник : Vishay sir662dp.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR662DP-T1-GE3 SIR662DP-T1-GE3 Виробник : Vishay sir662dp.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR662DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY sir662dp.pdf SIR662DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR662DP-T1-GE3 SIR662DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sir662dp.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4365 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.