Продукція > VISHAY SILICONIX > SIR664DP-T1-GE3
SIR664DP-T1-GE3

SIR664DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

sir664dp.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 30 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+31.53 грн
6000+28.27 грн
9000+27.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIR664DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 30 V.

Інші пропозиції SIR664DP-T1-GE3 за ціною від 32.39 грн до 93.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIR664DP-T1-GE3 SIR664DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors vishay_sir664dp.pdf MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 11290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+86.69 грн
10+70.56 грн
100+47.75 грн
500+40.54 грн
1000+36.64 грн
6000+34.65 грн
9000+33.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIR664DP-T1-GE3 SIR664DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sir664dp.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 30 V
на замовлення 15972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.91 грн
10+60.77 грн
100+42.75 грн
500+35.46 грн
1000+32.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIR664DP-T1-GE3 SIR664DP-T1-GE3 Виробник : Vishay sir664dp.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR664DP-T1-GE3 SIR664DP-T1-GE3 Виробник : Vishay sir664dp.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR664DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY sir664dp.pdf SIR664DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.