SIR664DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 30 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 30.28 грн |
| 6000+ | 27.77 грн |
| 9000+ | 26.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIR664DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 30 V.
Інші пропозиції SIR664DP-T1-GE3 за ціною від 29.07 грн до 78.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SIR664DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 30 V |
на замовлення 22200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIR664DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 11368 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIR664DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
SIR664DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| SIR664DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 60A; Idm: 150A; 50W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 60A Pulsed drain current: 150A Power dissipation: 50W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 40nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| SIR664DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 60A; Idm: 150A; 50W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 60A Pulsed drain current: 150A Power dissipation: 50W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 40nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |