Продукція > VISHAY SILICONIX > SiR668DP-T1-RE3

SiR668DP-T1-RE3 Vishay Siliconix

Name: SiR668DP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 6707793-3
Price: 217860.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 95A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	72.62 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SiR668DP-T1-RE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIR668DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 95 A, 4800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 95A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V, Verlustleistung: 104W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm.

Інші пропозиції SiR668DP-T1-RE3 за ціною від 70.34 грн до 235.18 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

SIR668DP-T1-RE3

VISHAY

VISH-S-A0003320274-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: VISHAY - SIR668DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 95 A, 4800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm

на замовлення 14000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	111.01 грн
500+	80.94 грн
1000+	70.34 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

SiR668DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 100V 95A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V

на замовлення 5591 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	234.71 грн
10+	146.76 грн
100+	101.68 грн
500+	77.31 грн
1000+	71.49 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

SiR668DP-T1-RE3

Vishay Semiconductors

MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

на замовлення 41816 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	235.18 грн
10+	151.57 грн
100+	90.92 грн
500+	74.01 грн
1000+	71.19 грн
3000+	70.48 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

SIR668DP-T1-RE3

VISHAY

Description: VISHAY - SIR668DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 95 A, 4800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm

на замовлення 14000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	235.18 грн
10+	153.77 грн
100+	111.01 грн
500+	80.94 грн
1000+	70.34 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

SIR668DP-T1-RE3

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR668DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 95 A, 4800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm

на замовлення 14000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	111.01 грн
500+	80.94 грн
1000+	70.34 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

SiR668DP-T1-RE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 95A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V

на замовлення 5591 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	234.71 грн
10+	146.76 грн
100+	101.68 грн
500+	77.31 грн
1000+	71.49 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

SiR668DP-T1-RE3

Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

на замовлення 41816 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	235.18 грн
10+	151.57 грн
100+	90.92 грн
500+	74.01 грн
1000+	71.19 грн
3000+	70.48 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

SIR668DP-T1-RE3

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR668DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 95 A, 4800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm

на замовлення 14000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4+	235.18 грн
10+	153.77 грн
100+	111.01 грн
500+	80.94 грн
1000+	70.34 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.