SIR668DP-T1-RE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SIR668DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 95 A, 4800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 14682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 74.71 грн |
| 500+ | 63.86 грн |
| 1000+ | 58.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIR668DP-T1-RE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIR668DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 95 A, 4800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 95A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SIR668DP-T1-RE3 за ціною від 58.21 грн до 245.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SiR668DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 95A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 7.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SIR668DP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR668DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 95 A, 4800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 95A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 14682 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SiR668DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 44213 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SiR668DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 95A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 7.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V |
на замовлення 5591 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SIR668DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 95A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
 |
SIR668DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 95A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |