на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6000+ | 73.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIR680DP-T1-RE3 Vishay
Description: VISHAY - SIR680DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0024 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SIR680DP-T1-RE3 за ціною від 61.97 грн до 240.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SIR680DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 80V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SIR680DP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR680DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0024 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 7180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SiR680DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 80V 100A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 7.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 40 V |
на замовлення 1580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SiR680DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 565 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SIR680DP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR680DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0024 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 7180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SIR680DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 80V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
SIR680DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 80V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
SIR680DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 80V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| SiR680DP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
SIR680DP-T1-RE3 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
|
|
SiR680DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 80V 100A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 7.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 40 V |
товару немає в наявності |