Продукція > VISHAY > SIR681DP-T1-RE3
SIR681DP-T1-RE3

SIR681DP-T1-RE3 Vishay

sir681dp.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 80V 17.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+169.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIR681DP-T1-RE3 Vishay

Description: VISHAY - SIR681DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 71.9 A, 0.0112 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 71.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V, Verlustleistung: 104W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm.

Інші пропозиції SIR681DP-T1-RE3 за ціною від 86.11 грн до 288.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIR681DP-T1-RE3 SIR681DP-T1-RE3 Vishay sir681dp.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 17.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+288.94 грн
10+197.25 грн
25+196.34 грн
50+187.44 грн
100+124.63 грн
250+118.45 грн
500+86.11 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR681DP-T1-RE3 SIR681DP-T1-RE3 Vishay sir681dp.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 17.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+288.94 грн
72+197.25 грн
73+187.44 грн
102+124.63 грн
250+118.45 грн
500+86.11 грн
Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR681DP-T1-RE3 SIR681DP-T1-RE3 VISHAY Description: VISHAY - SIR681DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 71.9 A, 0.0112 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm
на замовлення 20052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR681DP-T1-RE3 SIR681DP-T1-RE3 VISHAY Description: VISHAY - SIR681DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 71.9 A, 0.0112 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 33346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR681DP-T1-RE3 sir681dp.pdf
SIR681DP-T1-RE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 80V 17.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+288.94 грн
10+197.25 грн
25+196.34 грн
50+187.44 грн
100+124.63 грн
250+118.45 грн
500+86.11 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR681DP-T1-RE3 sir681dp.pdf
SIR681DP-T1-RE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 80V 17.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
49+288.94 грн
72+197.25 грн
73+187.44 грн
102+124.63 грн
250+118.45 грн
500+86.11 грн
Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR681DP-T1-RE3
SIR681DP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR681DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 71.9 A, 0.0112 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm
на замовлення 20052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR681DP-T1-RE3
SIR681DP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR681DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 71.9 A, 0.0112 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 33346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.