SIR681DP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 80V 17.6A/71.9A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.6A (Ta), 71.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 40 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 71.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIR681DP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIR681DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 71.9 A, 0.0093 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 71.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0093ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SIR681DP-T1-RE3 за ціною від 68.81 грн до 230.90 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIR681DP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR681DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 71.9 A, 0.0093 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 71.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0093ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 24918 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SIR681DP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR681DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 71.9 A, 0.0093 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 71.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0093ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 24918 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SIR681DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 80V 17.6A/71.9A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.6A (Ta), 71.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 40 V |
на замовлення 9579 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SIR681DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 80V 17.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SIR681DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 80V 17.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
SIR681DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 80V 17.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| SIR681DP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -80V; -71.9A; 104W Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -80V Drain current: -71.9A Pulsed drain current: -125A Power dissipation: 104W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 16.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 105nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
 |
SIR681DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs POWRPK P CHAN 80V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| SIR681DP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -80V; -71.9A; 104W Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -80V Drain current: -71.9A Pulsed drain current: -125A Power dissipation: 104W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 16.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 105nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |