Продукція > VISHAY > SIR688DP-T1-GE3
SIR688DP-T1-GE3

SIR688DP-T1-GE3 Vishay

sir688dp.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+64.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIR688DP-T1-GE3 Vishay

Description: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3105 pF @ 30 V.

Інші пропозиції SIR688DP-T1-GE3 за ціною від 62.38 грн до 153.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIR688DP-T1-GE3 SIR688DP-T1-GE3 Виробник : Vishay sir688dp.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+69.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIR688DP-T1-GE3 SIR688DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sir688dp.pdf MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 9750 шт:
термін постачання 245-254 дні (днів)
Кількість Ціна
3+153.26 грн
10+126.60 грн
100+87.34 грн
500+73.39 грн
1000+62.53 грн
3000+62.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIR688DP-T1-GE3 SIR688DP-T1-GE3 Виробник : Vishay sir688dp.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR688DP-T1-GE3 SIR688DP-T1-GE3 Виробник : Vishay sir688dp.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR688DP-T1-GE3 SIR688DP-T1-GE3 Виробник : Vishay sir688dp.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR688DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY sir688dp.pdf SIR688DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR688DP-T1-GE3 SIR688DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sir688dp.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3105 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR688DP-T1-GE3 SIR688DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sir688dp.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3105 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.