Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIR688DP-T1-GE3 Vishay
Description: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: PowerPAK® SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3105 pF @ 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8.
Інші пропозиції SIR688DP-T1-GE3 за ціною від 61.51 грн до 155.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SIR688DP-T1-GE3 | Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 60V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
SIR688DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3105 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 |
на замовлення 1322 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
SIR688DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 8423 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SIR688DP-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 81.14 грн |
| SIR688DP-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3105 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Description: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3105 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
на замовлення 1322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 155.63 грн |
| 10+ | 108.75 грн |
| 100+ | 80.54 грн |
| 500+ | 61.51 грн |
| SIR688DP-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 8423 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)