Продукція > VISHAY SILICONIX > SiR690DP-T1-GE3

SiR690DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Name: SiR690DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 12542899-3
Price: 135720.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 34.4A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1935 pF @ 100 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	45.24 грн
6000+	42.59 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SiR690DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIR690DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 34.4 A, 0.035 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 34.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: ThunderFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SiR690DP-T1-GE3 за ціною від 48.92 грн до 157.98 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

SIR690DP-T1-GE3

Vishay

Trans MOSFET N-CH 200V 34.4A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6000+	66.67 грн

Мінімальне замовлення: 6000 шт

В кошику од. на суму грн.

SIR690DP-T1-GE3

Vishay

Trans MOSFET N-CH 200V 34.4A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6000+	67.28 грн

Мінімальне замовлення: 6000 шт

В кошику од. на суму грн.

SIR690DP-T1-GE3

Vishay

Trans MOSFET N-CH 200V 34.4A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

на замовлення 2250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

209+	67.68 грн

Мінімальне замовлення: 209 шт

В кошику од. на суму грн.

SIR690DP-T1-GE3

Vishay

Trans MOSFET N-CH 200V 34.4A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

на замовлення 2250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	147.24 грн
10+	120.67 грн
25+	119.46 грн
100+	90.93 грн
250+	79.56 грн
500+	65.12 грн
1000+	58.01 грн

Мінімальне замовлення: 6 шт

В кошику од. на суму грн.

SiR690DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 200V 34.4A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1935 pF @ 100 V

на замовлення 12678 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	157.98 грн
10+	97.53 грн
100+	66.51 грн
500+	49.97 грн
1000+	48.92 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

SIR690DP-T1-GE3

VISHAY

Description: VISHAY - SIR690DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 34.4 A, 0.035 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 2592 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIR690DP-T1-GE3

VISHAY

на замовлення 2592 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

SIR690DP-T1-GE3

Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 34.4A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
6000+	66.67 грн

Мінімальне замовлення: 6000 шт

В кошику од. на суму грн.

SIR690DP-T1-GE3

Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 34.4A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
6000+	67.28 грн

Мінімальне замовлення: 6000 шт

В кошику од. на суму грн.

SIR690DP-T1-GE3

Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 34.4A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

на замовлення 2250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
209+	67.68 грн

Мінімальне замовлення: 209 шт

В кошику од. на суму грн.

SIR690DP-T1-GE3

Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 34.4A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

на замовлення 2250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
6+	147.24 грн
10+	120.67 грн
25+	119.46 грн
100+	90.93 грн
250+	79.56 грн
500+	65.12 грн
1000+	58.01 грн

Мінімальне замовлення: 6 шт

В кошику од. на суму грн.

SiR690DP-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 34.4A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1935 pF @ 100 V

на замовлення 12678 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2+	157.98 грн
10+	97.53 грн
100+	66.51 грн
500+	49.97 грн
1000+	48.92 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

SIR690DP-T1-GE3

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR690DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 34.4 A, 0.035 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 2592 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIR690DP-T1-GE3

на замовлення 2592 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.