SiR696DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 125V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 125 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 75 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 37.68 грн |
| 6000+ | 33.86 грн |
| 9000+ | 32.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SiR696DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 125V 60A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 104W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 125 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 75 V.
Інші пропозиції SiR696DP-T1-GE3 за ціною від 35.31 грн до 143.90 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SiR696DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 125V 60A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 125 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 75 V |
на замовлення 11821 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SiR696DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 125V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 21561 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| SiR696DP-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 125V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 125 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 75 V
Description: MOSFET N-CH 125V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 125 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 75 V
на замовлення 11821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 137.18 грн |
| 10+ | 84.07 грн |
| 100+ | 56.62 грн |
| 500+ | 42.10 грн |
| 1000+ | 38.55 грн |
| SiR696DP-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 125V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
MOSFETs 125V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 21561 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 143.90 грн |
| 10+ | 90.78 грн |
| 100+ | 52.93 грн |
| 500+ | 41.94 грн |
| 1000+ | 38.34 грн |
| 3000+ | 35.31 грн |