SiR696DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 125V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 125 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 75 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 36.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SiR696DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIR696DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 125 V, 60 A, 0.0096 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 125V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: ThunderFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції SiR696DP-T1-GE3 за ціною від 37.48 грн до 132.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIR696DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR696DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 125 V, 60 A, 0.0096 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 125V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: ThunderFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 17239 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SiR696DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 125V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 25637 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SiR696DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 125V 60A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 125 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 75 V |
на замовлення 4010 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SIR696DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 125V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
SIR696DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 125V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
SIR696DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 125V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| SiR696DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
SIR696DP-T1-GE3 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |