
SIR698DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 100V 7.5A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 50 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 38.20 грн |
6000+ | 35.04 грн |
9000+ | 33.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIR698DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIR698DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.5 A, 0.162 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 23W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.162ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції SIR698DP-T1-GE3 за ціною від 35.37 грн до 116.08 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SIR698DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 23W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 50 V |
на замовлення 9715 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SIR698DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 5435 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SIR698DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 23W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.162ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 4306 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SIR698DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
SIR698DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
SIR698DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
SIR698DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |