SIR698DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 7.5A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 50 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 34.75 грн |
| 6000+ | 31.87 грн |
| 9000+ | 30.4 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIR698DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIR698DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.5 A, 0.162 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 23W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.162ohm.
Інші пропозиції SIR698DP-T1-GE3 за ціною від 32.23 грн до 99.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SIR698DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 7.5A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 23W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 50 V |
на замовлення 9715 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SIR698DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 6515 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SIR698DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR698DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.5 A, 0.162 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 23W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.162ohm |
на замовлення 4326 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SIR698DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
SIR698DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
SIR698DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| SIR698DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 7.5A; Idm: 10A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 7.5A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 23W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.23Ω Mounting: SMD Gate charge: 8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| SIR698DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 7.5A; Idm: 10A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 7.5A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 23W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.23Ω Mounting: SMD Gate charge: 8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |