SIR770DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors
на замовлення 5885 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 81.37 грн |
| 10+ | 65.85 грн |
| 100+ | 44.57 грн |
| 500+ | 37.8 грн |
| 1000+ | 31.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIR770DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 8A, Type of transistor: N-MOSFET x2 + Schottky, Technology: TrenchFET®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 8A, Pulsed drain current: 35A, Power dissipation: 17.8W, Case: PowerPAK® SO8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 25mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 21nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 3000 шт.
Інші пропозиції SIR770DP-T1-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SIR770DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
товар відсутній |
|
| SIR770DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 8A Type of transistor: N-MOSFET x2 + Schottky Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 8A Pulsed drain current: 35A Power dissipation: 17.8W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 25mΩ Mounting: SMD Gate charge: 21nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||
 |
SIR770DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8 |
товар відсутній |
|
| SIR770DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 8A Type of transistor: N-MOSFET x2 + Schottky Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 8A Pulsed drain current: 35A Power dissipation: 17.8W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 25mΩ Mounting: SMD Gate charge: 21nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |