SIR800ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 50.2A/177A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50.2A (Ta), 177A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): +12V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3415 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 48.78 грн |
| 6000+ | 45.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIR800ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIR800ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 177 A, 0.00112 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 177A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 62.5W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00112ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SIR800ADP-T1-GE3 за ціною від 41.56 грн до 134.20 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SIR800ADP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 50.2A/177A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50.2A (Ta), 177A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): +12V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3415 pF @ 10 V |
на замовлення 10958 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIR800ADP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 20V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 4396 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIR800ADP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR800ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 177 A, 0.00112 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 177A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 62.5W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00112ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 8216 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIR800ADP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 50.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| SIR800ADP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
SIR800ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |