SIR800ADP-T1-RE3 VISHAY
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR800ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 177 A, 1350 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 177A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1350µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 40.32 грн |
| 500+ | 29.23 грн |
| 1000+ | 24.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIR800ADP-T1-RE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIR800ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 177 A, 1350 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 177A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 62.5W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1350µohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SIR800ADP-T1-RE3 за ціною від 21.70 грн до 96.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIR800ADP-T1-RE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 50.2A/177A PPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3415 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): +12V, -8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50.2A (Ta), 177A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 2911 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIR800ADP-T1-RE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 20V Vds; 12/-8V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 7636 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIR800ADP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR800ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 177 A, 1350 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 177A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 62.5W Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1350µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 1830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIR800ADP-T1-RE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 50.2A/177A PPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3415 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): +12V, -8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50.2A (Ta), 177A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |