Продукція > VISHAY SEMICONDUCTORS > SIR800ADP-T1-RE3
SIR800ADP-T1-RE3

SIR800ADP-T1-RE3 Vishay Semiconductors

sir800adp.pdf Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 20V Vds; 12/-8V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 4709 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+84.55 грн
10+64.68 грн
100+38.35 грн
500+30.65 грн
1000+27.25 грн
3000+24.23 грн
6000+22.50 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIR800ADP-T1-RE3 Vishay Semiconductors

Description: MOSFET N-CH 20V 50.2A/177A PPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50.2A (Ta), 177A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs (Max): +12V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3415 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SIR800ADP-T1-RE3 за ціною від 24.74 грн до 93.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIR800ADP-T1-RE3 SIR800ADP-T1-RE3 Виробник : Vishay Siliconix sir800adp.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 50.2A/177A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50.2A (Ta), 177A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): +12V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3415 pF @ 10 V
на замовлення 2911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.09 грн
10+56.30 грн
100+37.19 грн
500+27.22 грн
1000+24.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIR800ADP-T1-RE3 Виробник : Vishay sir800adp.pdf N-Channel 20 V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR800ADP-T1-RE3 SIR800ADP-T1-RE3 Виробник : Vishay Siliconix sir800adp.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 50.2A/177A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50.2A (Ta), 177A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): +12V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3415 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.