Продукція > VISHAY > SIR800ADP-T1-RE3
SIR800ADP-T1-RE3

SIR800ADP-T1-RE3 VISHAY

sir800adp.pdf
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR800ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 177 A, 1350 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 177A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1350µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+39.94 грн
500+28.95 грн
1000+24.38 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIR800ADP-T1-RE3 VISHAY

Description: VISHAY - SIR800ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 177 A, 1350 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 177A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 62.5W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1350µohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SIR800ADP-T1-RE3 за ціною від 23.48 грн до 95.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIR800ADP-T1-RE3 SIR800ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir800adp.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 50.2A/177A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3415 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): +12V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50.2A (Ta), 177A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.34 грн
10+53.43 грн
100+35.30 грн
500+25.83 грн
1000+23.48 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR800ADP-T1-RE3 SIR800ADP-T1-RE3 VISHAY sir800adp.pdf Description: VISHAY - SIR800ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 177 A, 1350 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 177A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1350µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+95.63 грн
14+60.19 грн
100+39.94 грн
500+28.95 грн
1000+24.38 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR800ADP-T1-RE3 SIR800ADP-T1-RE3 Vishay Semiconductors sir800adp.pdf MOSFETs 20V Vds; 12/-8V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 7636 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR800ADP-T1-RE3 sir800adp.pdf
SIR800ADP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 50.2A/177A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3415 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): +12V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50.2A (Ta), 177A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+88.34 грн
10+53.43 грн
100+35.30 грн
500+25.83 грн
1000+23.48 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR800ADP-T1-RE3 sir800adp.pdf
SIR800ADP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR800ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 177 A, 1350 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 177A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1350µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+95.63 грн
14+60.19 грн
100+39.94 грн
500+28.95 грн
1000+24.38 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR800ADP-T1-RE3 sir800adp.pdf
SIR800ADP-T1-RE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 20V Vds; 12/-8V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 7636 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.