Продукція > VISHAY SILICONIX > SIR800DP-T1-GE3
SIR800DP-T1-GE3

SIR800DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

sir800dp.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5125 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+50.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIR800DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5125 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±12V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 69W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 15A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: PowerPAK® SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції SIR800DP-T1-GE3 за ціною від 51.13 грн до 176.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIR800DP-T1-GE3 SIR800DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sir800dp.pdf MOSFETs 20V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 4832 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+141.17 грн
10+96.77 грн
100+62.17 грн
500+58.41 грн
6000+57.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIR800DP-T1-GE3 SIR800DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sir800dp.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5125 pF @ 10 V
на замовлення 3969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+176.02 грн
10+108.63 грн
100+74.05 грн
500+55.60 грн
1000+51.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIR800DP-T1-GE3 Виробник : Vishay sir800dp.pdf MOSFET 20V 50A N-CH MOSFET Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.