на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 64.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIR800DP-T1-RE3 Vishay
Description: MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 69W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5125 pF @ 10 V.
Інші пропозиції SIR800DP-T1-RE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| SIR800DP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
 SIR800DP-T1-RE3 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||
| SIR800DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5125 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |
||
 |
SIR800DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET 20V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8 |
товару немає в наявності |