Продукція > VISHAY SILICONIX > SIR804DP-T1-GE3
SIR804DP-T1-GE3

SIR804DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

sir804dp.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+84.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIR804DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 50 V.

Інші пропозиції SIR804DP-T1-GE3 за ціною від 80.82 грн до 235.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIR804DP-T1-GE3 SIR804DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sir804dp.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 50 V
на замовлення 4784 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+216.73 грн
10+162.53 грн
100+113.96 грн
500+87.17 грн
1000+80.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIR804DP-T1-GE3 SIR804DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sir804dp.pdf MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 16293 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+235.46 грн
10+171.33 грн
100+109.35 грн
250+99.81 грн
500+90.27 грн
1000+84.40 грн
3000+83.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIR804DP-T1-GE3 SIR804DP-T1-GE3 Виробник : Vishay sir804dp.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 20.8A 8-Pin PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR804DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY sir804dp.pdf SIR804DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.